EDI產水二氧化硅高的原因

⑴ 純凈水出現二氧化硅含量過高

硅酸鹽類含量高，當做二氧化硅計算的。 應該是人工添加了什麼的，天然的硅酸鹽礦泉水不多。

⑵ 影響EDI產水水質的主要因素有哪些

純水一號來水處理為您分析自影響超純水設備運行的主要因素有。 1.進水電導率影響 在保證其他條件不變的前提下，隨著原水電導率的上升，脫鹽效果變差。這是因為進水電導超過一定范圍後，模塊的工作區間往下移動，乃至再生區消失，工作區穿透

⑶ 混床再生處理後為什麼二氧化硅超標，比進水還要大

混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽. 由於 RO 為物理除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

⑷ edi出水硬度高是什麼原因

EDI出水硬度高，說明前級裝置出現了問題，EDI進水水質要求硬度≤2ppm或者更低回。一般情況下答，前端會通過軟化或者在反滲透之前投加阻垢劑，反滲透系統出現問題的可能性較大，脫鹽水系統環環相扣，該預處理來負擔的，不應該讓反滲透來負擔，該反滲透負擔的，同樣不應該讓EDI來完成去除硬度的任務，任何一個環節出現問題，都會導致系統出現問題。

⑸ 反滲透產水二氧化硅高是什麼原因

樓主你好，反滲透產水出現細菌主要有以下幾種可能：
1、反滲透出現生物污染，生物污染主專要發生屬在一段，主要體現為一段進水壓力的增加，段間壓差增大，膜生物污染會引起產水生物污染。
2、產水箱要定期殺菌，因為反滲透產水中已沒有餘氯，所以只要產水箱中有少量細菌，極易快速繁殖形成二次污染，因此要及時對產水箱進行殺菌作業。
3、濃水竄入產水，造成產水中含有細菌，這主要發生在膜元件連接密封漏水情況下，同時伴有產水電導率升高。
4、要排除取樣埠污染及取樣器材污染可能性，取樣時要在反滲透近點取水，取樣時要多排放，將取樣管中的殘水排出，取新鮮產水。取樣瓶要做殺菌處理，水樣不要長時間存放，這些都要注意的。
希望對你有所幫助，有疑問可以繼續追問，呵呵。

⑹ EDI產水金屬離子超標咋解決

EDI是通過用氫離子或氫氧根離子將RO水中的殘余鹽類交換並將它們送至濃水流中而除去，EDI是將電滲析和離子交換相互結合在一起的除鹽新工藝 1，EDI工作原理答：交換反應在膜塊的純化室進行，在那裡陰離子交換樹脂用它們的氫氧根離子(OH-)來交換溶解鹽中的陰離子(如氯離子Cl-)。相應地，陽離子交換樹脂用它們的氫離子(H+)來交換溶解鹽中的陽離子(如Na+)。在位於膜塊兩端的陽極(+)和陰極(-)之間加一直流電場。電勢就使交換到樹脂上的離子沿著樹脂粒的表面遷移並通過膜進入濃水室。陽極吸引負電離子(如Cl-，OH-)，這些離子通過陰離子選擇膜進入相臨的濃水流卻被陽離子選擇膜阻隔，從而留在濃水流中。陰極吸引濃水流中的陽離子(如Na+，H+)。這些離子通過陽離子選擇膜進入相臨的濃水流卻被陰離子選擇膜阻隔，從而留在濃水流中。當水流過這兩種平行的室時，離子在純水室被除去並在相臨的濃水流中聚集，然後由濃水流將其從膜塊中帶走。 在純水和濃水中離子交換樹脂的使用是EDI技術的關鍵。一個重要的現象在純水室的離子交換樹脂中發生。在電勢差高的局部區域，電化學反應分解的水產生大量的H和OH。在混床自理交換樹脂中局部H和OH的產生使樹脂和膜不需要添加化學葯品就可以持續再生。 2，EDI的概述答：市政自來水→原水箱→原水泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→保安過濾器→一級增壓泵→一級RO反滲透→中間水箱→二級增壓泵→二級RO反滲透→純水箱→純水泵→0.45μ精密過濾器→TOC脫除器→EDI裝置→電阻率儀→拋光混床→0.22μ精密過濾器→電阻率儀→清洗機

⑺ 混床更換樹脂後，除鹽水二氧化硅高，而未更換樹脂的混床產水正常，二氧化硅高怎麼處理

混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽專. 由於 RO 為物理除鹽,所以屬一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

⑻ 新混床出水SiO2合格，但鈉離子偏高可能有哪些原因

再生沒再生好，我處也出現過同樣問題。可能分層或進酸鹼量不合理。還有可能就是樹脂比例不合理。陽樹脂多陰樹脂少，再生時鹼液將一部分陽樹脂污染或致其失效.才出現硅合格鈉離子高現象

⑼ 鍋爐的爐水二氧化硅超表是什麼原因及相應的解決辦法

二氧化硅是自然界常見的礦物質，這種物質在鍋爐水中，會在鍋爐內生成難以清洗的硅酸鹽水垢。對鍋爐的性能壽命都有很嚴重的影響，

解決辦法，最好使用專業的鍋爐水緩釋阻垢劑，進行中和。最好還是改進凈水裝置，用離子交換反滲透等辦法，凈化鍋爐水，這樣保證鍋爐正常運行。

(9)EDI產水二氧化硅高的原因擴展閱讀：

二氧化硅在日常生活、生產和科研等方面有著重要的用途，但有時也會對人體造成危害。二氧化硅的粉塵極細，比表面積達到100m2/g以上可以懸浮在空氣中，如果人長期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會患硅肺病（因硅舊稱為矽，硅肺舊稱為矽肺）。

硅肺是一種職業病，它的發生及嚴重程度，取決於空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時間等。長期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場所工作的人易患此病。

因此，在這些粉塵較多的工作場所，應採取嚴格的勞動保護措施，採用多種技術和設備控制工作場所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。

⑽ 鍋爐省煤器入口給水二氧化硅超標的原因及處理

鍋爐給水二氧化硅超標，這個二氧化硅實際就是沙子，這個問題主要是來自於自來水。不知道鍋爐給水的水源是什麼，估計是沒有經過處理的井水。正常情況下，井水要經過除沙器，然後經過軟化過濾，二氧化硅的含量幾乎是沒有了。