光刻膠樹脂用途

A. 電子酚醛樹脂生產出的光刻膠與環氧樹脂做出來的光刻膠有啥區別

酚醛樹脂（又稱電木，電木粉）是一種無色或黃褐色的透明物，耐弱酸和弱鹼，遇強酸發生分解，遇強鹼發生腐蝕，不溶於水，溶於丙酮、酒精等有機溶劑中。 酚醛樹脂是由苯酚醛或其衍生物縮聚而得。

B. 是否可以不使用光刻膠直接用掩膜板刻蝕矽片順便說一下光刻膠的用途。謝謝

應該是與晶元有關

C. 什麼是光刻膠以及光刻膠的種類

光刻膠是一種有機化合物，它受紫外光曝光後，在顯影液中的溶解度會發生變化。一般光刻膠以液態塗覆在矽片表面上，曝光後烘烤成固態。 1、光刻膠的作用： a、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層中； b、在後續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2、光刻膠的物理特性參數： a、解析度（resolution）。區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。 b、對比度（Contrast）。指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。 d、粘滯性/黏度（Viscosity）。衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住後續工藝（刻蝕、離子注入等）。 f、抗蝕性（Anti-etching）。光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 g、表面張力（Surface Tension）。液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 h、存儲和傳送（Storage and Transmission）。能量（光和熱）可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍，負膠會發生交聯，正膠會發生感光延遲。3、光刻膠的分類 a、根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。 負性光刻膠（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世紀70年代。曝光區域發生交聯，難溶於顯影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快；顯影時發生變形和膨脹。所以只能用於2μm的解析度。 正性光刻膠（Positive Photo Resist）。20世紀70年代，有負性轉用正性。正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解於顯影液。特性：解析度高、台階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。 b、根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：傳統光刻膠和化學放大光刻膠。 傳統光刻膠。適用於I線（365nm）、H線（405nm）和G線（436nm），關鍵尺寸在0.35μm及其以上。 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。適用於深紫外線（DUV）波長的光刻膠。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻膠的具體性質 a、傳統光刻膠：正膠和負膠。光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent），保持光刻膠的液體狀態，使之具有良好的流動性；添加劑（Additive），用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。 負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲；曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。 正性光刻膠。樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中；感光劑是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常見的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後，DNQ在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的解析度。 b、化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。樹脂是具有化學基團保護（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保護團的樹脂不溶於水；感光劑是光酸產生劑（PAG，Photo Acid Generator），光刻膠曝光後，在曝光區的PAG發生光化學反應會產生一種酸。該酸在曝光後熱烘（PEB，Post Exposure Baking）時，作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走，從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶於水轉變為高度溶於以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常

D. 光刻膠的分類

光刻膠的來技術復雜，品種較多。自根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照後形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照後變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作塗層，就能在矽片表面刻蝕所需的電路圖形。基於感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。 液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力（Surface Tension），使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。

E. 光刻膠的介紹

又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照後，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像製版過程）。

F. 光刻膠正膠與酒精反應嗎

經過光反應後部分可以溶解，可以通過飛秒檢測鑒定其結構和變化，正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解
在顯影液中；感光劑是光敏化合，最常見的是重氮萘醌（DNQ）。在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後，DNQ在光刻膠中化學

分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很
好的對比度，所以生成的圖形具有良好的解析度。

G. 光刻膠~~光刻膠的概念是什麼

光刻膠
photoresist

又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增
感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液
體。感光樹脂經光照後，在曝光區能很快地發生光固化
反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合
性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部
分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像製版過程）。
光刻膠廣泛用於印刷電路和集成電路的製造以及印刷制
版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學
反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照
後形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不
可溶的，經光照後變成可溶物質的即為正性膠。利用這
種性能，將光刻膠作塗層，就能在矽片表面刻蝕所需的
電路圖形。基於感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為
三種類型。①光聚合型，採用烯類單體，在光作用下生
成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，最後生成聚
合物，具有形成正像的特點。②光分解型，採用含有疊
氮醌類化合物的材料，經光照後,會發生光分解反應,由
油溶性變為水溶性，可以製成正性膠。③光交聯型，采
用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其
分子中的雙鍵被打開，並使鏈與鏈之間發生交聯，形成
一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典
型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。
感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限
制解析度（見感光材料）的提高。為進一步提高解析度
以滿足超大規模集成電路工藝的要求，必須採用波長更
短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外
(＜250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕
膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1□m以下。

http://www.adsonbbs.com/ke_detail.asp?id=68

光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應的發生一種光化學反應或者激勵作用。光化學反應中的光吸收是在化學鍵合中起作用的處於原子最外層的電子由基態轉入激勵態時引起的。對於有機物，基態與激勵態的能量差為3~6eV，相當於該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學鍵合中起作用的電子轉入激勵態。化學鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質後，因與物質具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質的電子中，因此生成激勵狀態的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發光刻膠的化學反應。